主要特点
我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光均匀等效,这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍,并解决了物料不均匀堆积现象。
1.与传统CVD系统比较,生长温度更低。
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。
3.设备的技术使得整管辉光均匀等效,均匀生长。
技术参数
三温区滑轨炉
BTF-1200C-II
I
- SL
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炉管尺寸
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外径Φ
100
*
2330
mm(可选)
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极限温度
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1200℃
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工作温度
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≤1100 ℃
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温度控制器
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PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率, 30段可编程控制器
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Z快升温速率
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≤
20
℃/min
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加热区
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300+300+300mm
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恒温区
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150+200+150mm
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控温精度
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±1 ℃
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电源
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单相220V,交流50Hz
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4路质量流量供气系统
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Z大电压
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185~245V/50Hz
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Z大输出功率
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18W
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流量计标准量程
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100,200
,200
,500SCCM;(非特殊以氮气标定,量程可选定
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工作温度
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5~45 ºC
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工作压差
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0.1~0.5 MPa
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Z大压力
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3MPa
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准确度
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±1.5% FS
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测量范围
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-0.1~0.15 MPa(0.01 MPa/grid)
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针阀
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316不锈钢
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混气罐
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Φ80×120mm
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截止阀
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Φ6mm"316不锈钢针阀
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尺寸
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600*600*650mm
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低真空系统
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空气相对湿度
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≤85%
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工作电电压
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220V±10% 50~60HZ
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功率
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500
W
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抽气速率
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10m³/h
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极限真空
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4X10-2Pa
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实验真空度
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1.0X10-1Pa
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容油量
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1.1L
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进气/排气口径
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KF25
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噪音
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50dB
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外形尺寸
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600×600×600mm
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射频电源
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信号频率
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13.56MHz
±
-0.005%
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射频功率输出范围
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5W-500W
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Z大反射功率
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200W
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射频输出接口
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50Ω。N-type,female
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功率稳定度
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±
0.1%
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谐波分量
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≤
-50dbc
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供电电压
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单相50/60Hz 220v±10%
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整机效率
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>=70%
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功率因素
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>=90%
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冷却方式
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强制风冷
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